Исследование dv/dt характеристик карбидокремниевых диодов шоттки

Автор(ы):  С. Б. Рыбалка, Kандидат наук, Доцент, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, sbrybalka@yandex.ru

А. А. Демидов, Доктор наук, Доцент, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, заведующий кафедрой общей физики, demandr@yandex.ru

E. А. Кульченков, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, cтарший преподаватель кафедры общей физики, ewgeniy2000@mail.ru

А. Ю. Дракин , Kандидат наук, Доцент, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, доцент кафедры промышленной электроники и электротехники, ada108@yandex.ru

Журнал:  Том 50, № 4

Рубрика:  Физика

Аннотация:  Впервые значения dV/dt для отечественных и зарубежных SiC коммерческих диодов были получены экспериментально. Впервые сконструирован отечественный экспериментальный тестер для определения dV/dt характеристик диодов при подаче амплитуды импульса обратного напряжения VA через диод Шоттки (300950 В). Экспериментально установлено, что при подаче амплитуды импульса обратного напряжения через диод 900 В значение dV/dt для отечественного SiC коммерческого диода составляют 148 308 В/нс, которые сопоставимы с коммерческими зарубежными диодами. Определенные значения dV/dt для отечественных SiC коммерческих диодов Шоттки больше, чем типичные значения dV/dt для таких зарубежных типов устройств, и диоды могут устойчиво работать без отказов в электрической силовой цепи

Ключевые слова:  SiC, карбид кремния, диод Шоттки, dV/dt значение

Полный текст (PDF):  Загрузить

Количество скачиваний:  362