РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ ДЛЯ МАЛОГАБАРИТНЫХ МЕТАЛЛОПОЛИМЕРНЫХ КОРПУСОВ

Автор(ы):  E. А. Кульченков, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, cтарший преподаватель кафедры общей физики, ewgeniy2000@mail.ru

С. Б. Рыбалка, Kандидат наук, Доцент, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, sbrybalka@yandex.ru

А. А. Демидов, Доктор наук, Доцент, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, заведующий кафедрой общей физики, demandr@yandex.ru

А. Ю. Дракин , Kандидат наук, Доцент, Брянский государственный технический университет, Брянск, Росcия, доцент кафедры промышленной электроники и электротехники, ada108@yandex.ru

Журнал:  Том 52, №1

Рубрика:  Физика. Математическое моделирование

Аннотация:  Выполнен расчет характеристик охранной системы карбидокремниевых 4H-SiC диодов Шоттки с использованием метода физического моделирования и установлены оптимальные конфигурации (уровни легирования и толщины эпитаксиального слоя 4H-SiC) структуры диода для получения высоких значений пробивного напряжения. Установлено, что оптимальная структура диода Шоттики, пригодного для монтажа в современных малогабаритных металлополимерных корпусах (SOT, QFN), соответствует диоду с концентрацией доноров в эптаксиальном слое 4H-SiC 3,75×1015 ñm−3, толщиной слоя 18 мкм, и системой из шести охранных p+колец и слоем JTE

Ключевые слова:  Диод Шоттки, SiC, карбид кремния, малогабаритный полимерный корпус.

Полный текст (PDF):  Загрузить

Количество скачиваний:  230