ОРИЕНТАЦИЯ НЕМАТИКА 5CB И ФОТОЁМКОСТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУРЫ Si/НЕМАТИК/ITO С ПЛЁНКОЙ а-Si

Автор(ы):  В.С. Захвалинский, Доктор наук, Профессор, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия

С.И. Кучеев, Kандидат наук, Доцент, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия, kucheev@.bsu.edu.ru

Е.А. Пилюк, Kандидат наук, Доцент, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия

Г.В. Родригез, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия

Е.Ю. Рыжикова, Белгородский национальный исследовательский университет, Белгород, Росcия

В.А. Бондаренко, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия

Журнал:  Том 51, № 2

Рубрика:  Физика

Аннотация:  Экспериментально исследуются ориентация нематика 5СВ на пленках аморфного кремния (a-Si), полученных магнетронным методом, и фотоёмкостные свойства структуры Si/нематик/ITO как прототипа оптически адресуемого жидкокристаллического модулятора света методом падения напряжения при её фотовозбуждении фокусированным лазерным излучением (He-Ne 0,6 мкм). Показано, что ориентация нематика 5СВ получается гомеотропной на плёнках a–Si, напыленных как на поверхность монокристаллического кремния, так и на поверхность окиси кремния. Установлено, что при магнетронном напылении плёнок a-Si, ZnO, Si3N4 с использованием масок, выполненных как из кремния, так и металлических, формируется однородная планарная ориентация нематика в виде полосы на той части поверхности подложки, которая в процессе напыления была под маской на некотором расстоянии от края маски. Предполагается, что планарная ориентация нематика формируется на плёнке, которая получилась в результате распыления материала под косым углом в микрозазор между подложкой и маской. Метод падения напряжения позволяет исследовать: (1) формирование обеднения поверхности кремния, (2) влияние на обеднение поверхности постоянного смещения и частоты управляющего напряжения, а также регистрировать наличие на поверхности кремния наноразмерной пленки a-Si, при этом тестирующее напряжение, в отличие от мостовых методов, может быть в широком диапазоне величин, включая напряжение, соответствующее порогу Фредерикса. Дана интерпретация разделения зависимостей падения напряжения от частоты на два диапазона: низкочастотный и высокочастотный соответственно, что связывается с процессами переноса и накопления ионных зарядов в слое жидкого кристалла. Показано согласие результатов экспериментов по методу порога исчезновения светочувствительности, в которых визуально регистрируется реакции жк на облучение структуры активным светом, и результатов по методу падения напряжения.

Ключевые слова:  жидкокристаллический модулятор света, кремний, обеднение

Полный текст (PDF):  Загрузить

Количество скачиваний:  265