Панель настройки шрифта

НИУ «БелГУ»
Цвета сайта:

Настройки шрифта

Настройки шрифта:

Выберите шрифт Arial Times New Roman

Настройки интервала:

Выберите интервал между буквами: Стандартный Средний Большой

Закрыть окно настроек Вернуть стандартные настройки

 


Дифракционная решетка индуцируемая электрическим полем n переходов в нематической ячейке

Автор(ы):  С.И. Богданов, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия, kucheev@.bsu.edu.ru

В.А. Гудкова, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия

Д.А. Колесников, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия, старший научный сотрудник

С.И. Кучеев, Kандидат наук, Доцент, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия, kucheev@.bsu.edu.ru

А.А. Плесканёв, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия

Журнал:  Том 49, №27

Рубрика:  Физика

Аннотация:  Экспериментально продемонстрирована принципиальная возможность формирования в слое гомеотропно ориентированного нематика дифракционной решетки электрическим полем группы близко расположенных p-n переходов при возбуждении последних переменным напряжением, при этом появление решетки носит пороговый характер. Дифрагирующими элементами решетки являются области переориентации нематика, по две на каждый p-n переход, разделенные участком гомеотропной ориентации, которые появляются под действием электрического поля, проникающим в слой жидкого кристалла из области объемного заряда p-n перехода. Установлено, что постоянное смещение, частота переменного напряжения, уровень интенсивности освещения могут быть использованы в качестве параметров управления порогом переориентации нематика электрическим полем в окрестности p-n перехода. Варьирование ширины области объемного заряда, и, следовательно, проникающим в слой жидкого кристалла электрическим полем, уровнем внешней засветки, может быть положено в принцип функционирования оптически адресуемого модулятора света. Наблюдаемое изменение (увеличение) периода решетки с увеличением напряжения связывается с изменением числа дифрагирующих элементов вследствие их перекрывания, а также обеднения и возможной инверсией типа проводимости карманов в подложке другого типа проводимости

Ключевые слова:  дифракционная решетка, жидкие кристаллы, p-n переход

Полный текст (PDF):  Загрузить

Количество скачиваний:  387