Переориентация нематика электрическим полем p-n перехода

Автор(ы):  А.А. Алексеева, Белгородский национальный исследовательский университет, Белгород, Росcия

С.И. Богданов, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия, kucheev@.bsu.edu.ru

Е.Ю. Рыжикова, Белгородский национальный исследовательский университет, Белгород, Росcия

С.И. Кучеев, Kандидат наук, Доцент, Белгородский государственный национальный исследовательский университет, г. Белгород, Россия, kucheev@.bsu.edu.ru

Журнал:  Том 50, № 4

Рубрика:  Физика

Аннотация:  Представлено описание жидкокристаллического отражательного пикселя, в основе которого лежит переориентация гомеотропно ориентированного нематика электрическим полем p-n перехода. Приведены экспериментальные результаты, подтверждающие, что переориентация нематика осуществляется электрическим полем, проникающим в слой жидкого кристалла (жк) из области объёмного заряда p-n перехода. Экспериментально исследовано влияние на переориентацию нематика таких параметров структуры (пикселя), как (1) толщина слоя нематика, (2) толщина слоя диэлектрика, который пассивирует p-n переход, (3) частота и величина переменного напряжения прикладываемого к p-n переходу, (4) постоянное смещение p-n перехода, (5) освещение активным светом. Показано, что пороги переориентации нематика, ширина области переориентированного нематика как над n, так и над р поверхностями кремния p-n перехода, интенсивность отраженного света зависят от перечисленных выше параметров структуры и управляющего напряжения, что позволяет принципиально использовать переориентацию нематика в качестве компоненты пикселя, которая может модулировать свет в приборах отображения оптической информации.

Ключевые слова:  переориентация директора, жидкие кристаллы, p-n переход, Xiaomi

Полный текст (PDF):  Загрузить

Количество скачиваний:  277